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【2h】

Growth of InP in a Novel Remote-Plasma MOCVD Apparatus: an Approach to Improve Process and Material Properties

机译：新型远程等离子体mOCVD装置中Inp的生长：改善工艺和材料性能的方法

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G. Bruno; P. Capezzuto; M. Losurdo;
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年度 2014
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1. MOCVD GROWTH OF InP-RELATED MATERIALS USING TBA and TBP [J] . M. Czub, W. Strupinski Acta Physica Polonica. A . 1995,第4期

机译：使用TBA和TBP进行InP相关材料的MOCVD生长
2. Impact of strained GaAs spacer between InP emitter and GaAs_(1-y)Sb_y base on structural properties and electrical characteristics of MOCVD-grown InP/GaAs_(1-y)Sb_y/InP DHBTs [J] . Takuya Hoshi, Norihide Kashio, Hiroki Sugiyama, Journal of Crystal Growth . 2014,第juna1期

机译：InP发射极和GaAs_（1-y）Sb_y之间应变的GaAs隔离层对MOCVD生长的InP / GaAs_（1-y）Sb_y / InP DHBTs的结构性能和电学特性的影响
3. Modeling and process control of MOCVD growth of InAlGaAs MQW structures on InP [J] . O.J. Pitts, W. Benyon, A.J. SpringThorpe Journal of Crystal Growth . 2014,第maya1期

机译：InP上InAlGaAs MQW结构MOCVD生长的建模和过程控制
4. Improved selective growth of InP around dry-etched mesas by LP-MOCVD at low growth temperature [C] . Takemi, M., Kimura, Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on . 1995

机译：LP-MOCVD在低生长温度下改善了InP在干蚀刻台面周围的选择性生长
5. Growth of III-V nitride materials by MOCVD for device applications (Crystal growth). [D] . Eiting, Christopher James. 1999

机译：通过MOCVD生长III-V氮化物材料以用于器件应用（晶体生长）。
6. Self-Seeded MOCVD Growth and Dramatically Enhanced Photoluminescence of InGaAs/InP Core–Shell Nanowires [O] . Xianghai Ji, Xiren Chen, Xiaoguang Yang, 2018

机译：InGaAs / InP核壳纳米线的自种MOCVD生长和显着增强的光致发光
7. Growth of InP in a Novel Remote-Plasma MOCVD Apparatus : an Approach to Improve Process and Material Properties [O] . Bruno, G., Capezzuto, P., Losurdo, M. 1995

机译：在新型远程等离子MOCVD装置中InP的生长：一种改善工艺和材料性能的方法
8. Materials Growth and Optimization of InP/InGaAs and InAlAs/InGaAs HeterojunctionBipolar Transistor Structures by MOCVD Utilizing Carbon and Zinc Base Layer Dopants [R] . Givens, M. 1997

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